001、在例如FinFET器件中使用的形成电介质隔离的鳍结构的方法

　　002、FinFET器件及其形成方法

　　003、用于具有掩埋SiGe氧化物的FinFET器件的结构和方法

　　004、一种FinFET器件及其制造方法

　　005、制作FinFET的方法

　　006、FinFET和形成该FinFET的方法

　　007、制造FINFET器件的方法

　　013、FinFET电容器及其制造方法

　　019、一种FinFET结构及其制造方法

　　021、一种FinFET结构及其制造方法

　　027、N沟道和P沟道端对端FinFET单元架构

　　028、一种FinFET制备方法

　　029、一种FinFET制备方法

　　030、FinFet器件源漏区的形成方法

　　031、一种FinFET器件及其制造方法

　　032、用于FinFET多晶硅化学机械研磨的设备及方法

　　033、一种制作FinFET半导体器件的方法

　　034、FinFET的制造方法

　　035、通过执行替代生长制程形成FINFET半导体装置的替代鳍片的方法

　　036、FinFET器件及其制作方法

　　037、一种无结纳米线FinFET及其制作方法

　　038、FinFET器件的源极区和漏极区中的位错形成

　　039、一种垂直SiGe FinFET的制备方法

　　040、具有共面形貌的多高度FINFET

　　041、FinFET的制备方法

　　042、在FinFET器件上形成离子注入侧墙保护层的方法

　　043、FinFET上拉伸应变的调整

　　044、一种FinFET半导体器件及其制备方法

　　045、一种FinFET半导体器件的制备方法

　　046、finFET结构

　　047、在FinFET器件上形成离子注入侧墙保护层的方法

　　048、FINFET结构及其形成方法

　　049、在三栅极（FINFET）工艺上集成多个栅极电介质晶体管的方法

　　050、一种FinFET结构的制备方法

　　051、FinFET及其制造方法

　　052、具有晶体绝缘体的FINFET及其形成方法

　　053、FinFET及其制造方法

　　054、形成FinFET半导体设备的低缺陷取代鳍部的方法及其所产生的设备

　　055、源极/漏极中带有底部SiGe层的FinFET

　　056、应力增强的FINFET 器件

　　057、在FinFET中扩展伪单元插入的工艺

　　058、具有沟道背面钝化层器件的FinFET和方法

　　059、具有非对称源极/漏极结构的FinFET及其制造方法

　　060、FinFET制程中形成垂直双极型晶体管的方法

　　061、具有应变阱区的FinFET

　　062、用于缺陷钝化以减少FINFET器件的结泄漏的结构和方法

　　063、用于在FinFET沟道中诱导应变的方法

　　064、具有减少的寄生电容量的FinFET及其制造方法

　　065、调整多阈值电压的FinFET/三栅极沟道掺杂

　　066、在硅衬底上的全隔离FinFET晶体管及电隔离晶体管

　　067、具有SiGe源漏的FinFET及其形成方法

　　068、用于在体半导体晶片上形成FINFET/三栅极器件的方法

　　069、制造FinFET器件的方法

　　070、FinFET器件及其制造方法

　　071、FinFET器件及其制造方法

　　072、gai善finFET鳍结构表面氧化层形貌的方法

　　073、由悬空硅进行电介质隔离的FINFET及其制造方法

　　074、FinFET的新型鳍结构

　　075、高效率FinFET二极管

　　076、用于形成具有自对准源极/漏极的FinFET的方法

　　077、FinFET结构和用于调整FinFET结构中的阈值电压的方法

　　078、用于FinFET的N金属

　　079、全衬底隔离FINFET晶体管

　　080、具有嵌入式MOS变容二极管的FinFET及其制造方法

　　081、一种FINFET结构的制备方法

　　082、一种应用于FINFET结构的化学机械研磨方法

　　083、具有隔离沟道的FINFET器件

　　084、与FINFET工艺相兼容的二极管结构

　　085、FinFET及其制造方法

　　086、FinFET及其制造方法

　　087、一种FinFET器件的制造方法

　　088、FinFET及其制造方法

　　089、FinFET及其制造方法

　　090、FinFET及其制造方法

　　091、N沟道和P沟道FINFET单元架构

　　092、具有块间绝缘体的N沟道和P沟道FINFET单元架构

　　093、FinFET及其制造方法

　　094、FinFET及其制造方法

　　095、双Finfet晶体管及其制备方法

　　096、FinFET鳍状结构的制造方法

　　097、具有硅化物化源极-漏极区域的FINFET器件及其使用两步退火的制作方法

　　098、增强的FINFET工艺覆盖标记

　　099、以碳纳米管为掩膜制备FinFET的方法

　　100、制造FinFET器件的方法

　　101、在 外鳍的外侧表面上包括外yan生长阻挡物的多鳍FINFET器件和相关方法

　　102、多高度FinFET器件的制造方法

　　103、FinFET及其制造方法

　　104、形成FinFET的方法

　　105、具有沟槽场板的FinFET

　　106、用于块体FinFET技术的漏极yan伸MOS器件

　　107、具有位于下方的嵌入式k抗k穿通层的FinFET方法和结构

　　108、具有高迁移率和应变沟道的FinFET

　　109、包括具有不同鳍轮廓的FINFET的集成电路

　　110、形成FinFET的方法

　　111、FinFET制造方法

　　112、FinFET制造方法

　　113、形成FinFET栅介质层的方法和形成FinFET的方法

　　114、一种FinFET沟道掺杂方法

　　115、制造FINFET器件的方法

　　116、自对准GaAs FinFET结构及其制造方法

　　117、金属栅极finFET器件及其制造方法

　　118、半导体鳍条的制作方法、FinFET器件的制作方法

　　119、FinFET及其制造方法

　　120、用于FinFET的结构

　　121、FinFET结构及其制造方法

　　122、伪FinFET结构及其制造方法

　　123、用于集成有电容器的FinFET的结构和方法

　　124、用于FinFET的装置

　　125、用于FinFET器件的鳍结构

　　126、具有金属栅极应激源的FINFET

　　127、用于FinFET的源极/漏极轮廓

　　128、具有超晶格应激源的FinFET

　　129、基于FinFET的ESD器件及其形成方法

　　130、具有应变区的finFET器件

　　131、用于FinFET的装置和方法

　　132、FinFET及其制造方法

　　133、具有LDDyan伸的FinFET设计

　　134、FinFET器件制造方法

　　135、具有新式边缘鳍状件的FINFET结构

　　136、鳍式场效应晶体管（FinFET）器件的图案化工艺

　　137、鳍式场效应晶体管（FINFET）器件的切割掩模图案化工艺

　　138、用于FINFET器件的位错SMT

　　139、去耦FINFET电容器

　　140、FinFET体接触件及其制造方法

　　141、用于FinFET器件的具有共形多晶硅层的复合伪栅极

　　142、控制FinFET结构中的鳍状件高度

　　143、一种FinFET器件的制造方法

　　144、具有多阈值电压的FinFET

　　145、用于减小栅极阻k抗kFinFET的方法和装置

　　146、用于FINFET单元的方法和装置

　　147、用于FinFET器件制造的化学机械平面化方法

　　148、具有改进的栅极平坦性的FinFET

　　149、FinFET器件的制造方法及结构

　　150、FinFET接触结构的制造方法

　　151、形成Finfet掺杂鳍状物的方法

　　152、FinFET器件制造方法

　　153、集成鳍式场效应晶体管（FINFET）及其制作方法

　　154、一种CMOS FinFET器件及其形成方法

　　155、FinFET及其形成方法

　　156、FinFET及其形成方法

　　157、基于FINFET的一次可编程器件

　　158、FinFET器件制造方法

　　159、一种FINFET以及采用该FINFET的反相器

　　160、FinFET器件及其制造方法

　　161、FinFET器件及其制造方法

　　162、FinFET器件及其制造方法

　　163、控制沟道厚度的FinFET设计

　　164、具有限定在类金刚石形状半导体结构中的沟道的FinFET器件

　　165、一种FINFET以及采用该FINFET的应用电路

　　166、缓冲型finFET器件

　　167、基于FINFET的一次可编程器件和相关方法

　　168、锗、三五族半导体材料衬底上制备FinFET的方法

　　169、在体硅上制备独立双栅FinFET的方法

　　170、后形成鳍的置换型金属栅极FINFET

　　171、FinFET的适应性鳍设计

　　172、用于将平面设计转换为FinFET设计的系统和方法

　　173、一种FINFET动态随机存储器单元及其制备方法

　　174、一种大规模集成电路中FinFET的制备方法

　　175、鳍片场效应晶体管(FINFET)器件及其制造方法

　　176、FINFET及其制造方法

　　177、串联FinFET的实施方法

　　178、使用FinFET的非易失性存储器件及其制造方法

　　179、一种FinFET器件及其制造方法

　　180、鳍式场效应晶体管(FINFET)

　　181、制造鳍式场效晶体管(FINFET)装置的方法

　　182、一种FinFET晶体管的制作方法

　　183、具有分立栅极的FinFET及其制造方法

　　184、FINFET元件的制造方法

　　185、用于FinFET的ESD保护

　　186、多介质FINFET结构和方法

　　187、双极晶体管FINFET技术

　　188、FinFET中的分裂栅极存储器单元

　　189、电阻减小的FINFET及其制造方法

　　190、基于finFET的非易失性存储器

　　191、制造具有FINFET的半导体器件的方法

　　192、一种制作FinFET晶体管的方法

　　193、一种FinFET结构和制作FinFET结构的方法

　　194、使用接触型氮化物镶嵌掩模的局部镶嵌FinFET的制造

　　195、具有准自对准源极/漏极FinFET的半导体器件及其形成方法

　　196、具有双栅FINFETS的存储器及制造方法

　　197、用于FinFET的散热结构及其制造方法

　　198、高密度FINFET集成方案

　　199、一种FinFET电路与纳机电梁集成的芯片及其制作方法

　　200、构成用于腐蚀FINFET的硅翅的 终硬掩模的三掩模方法

　　201、形成FinFET装置中的栅极以及薄化该FinFET装置的沟道区中的鳍的方法

　　202、FinFET体接触结构和创建此结构的方法

　　203、形成结构、隔离层和相关FINFET的方法

　　204、用于FINFET和CMOS器件的集成反熔断器结构

　　205、背栅FinFET SRAM

　　206、使用FINFET技术形成多种器件宽度的方法和结构

　　207、使用反向FinFET薄膜晶体管的FinFET SRAM单元

　　208、FinFET的制作方法以及至少包含一个FinFET的集成电路

　　209、在FinFET中形成翅片的后退法

　　210、应变finFET及其制造方法