01、一种gai善ESD防护能力的JFET

　　002、具有由沟槽隔离限定的JFET宽度的半导体器件

　　003、JFET器件及其制造方法

　　004、一种具有整流的碳化硅JFET栅结构的制备方法

　　005、一种恒流JFET器件及其制造方法

　　006、用于具有自对准源极和栅极的氮化镓垂直JFET的方法和系统

　　007、在再生长栅极上具有栅电极和源电极的垂直GaN JFET

　　008、一种JFET器件及其制造方法

　　009、一种JFET器件及其制造方法

　　010、单片集成的垂直JFET和肖特基二极管

　　011、一种JFET器件及其制造方法

　　012、高压 ED NMOS 元件嵌入高压横向 NJFET

　　013、利用再生长沟道的GaN垂直JFET的方法和系统

　　014、利用再生长栅极的GaN垂直JFET的方法和系统

　　015、一种JFET器件及其制造方法

　　016、一种低电容JFET器件及其制造方法

　　017、一种碳化硅沟槽型JFET的制作方法

　　018、与包括 JFET 部分的二极管器件有关的方法和设备

　　019、一种互补结型场效应晶体管c-JFET器件及其后栅极的制造方法

　　020、一种互补结型场效应晶体管c-JFET器件及其后栅极的制造方法

　　021、一种双极与P沟自对准JFET管兼容工艺

　　022、具有选择性掺杂的JFET区的功率半导体器件及形成这样的器件的相关方法

　　023、JFET及其制造方法以及使用该JFET的微型逆变器

　　024、常关半导体开关和常关JFET

　　025、一种JFET器件及其形成方法

　　026、带有MOSFET和低正向电压的等效二极管增强型JFET的半导体器件及其制备方法

　　027、JFET晶体管及其形成方法

　　028、JFET晶体管及其形成方法

　　029、耗尽型顶栅结型场效应晶体管(DTGJFET)

　　030、一种N沟道JFET集成放大器的制造方法

　　031、P沟道JFET与双极混合集成电路

　　032、0.5微米垂直JFET工艺

　　033、P沟道JFET与双极混合集成电路及制作工艺

　　034、具有四端子JFET器件的电路配置

　　035、用于小线宽和下降的线宽的JFET的可扩展工艺和结构

　　036、硅材料高频低功耗功率结型场效应晶体管(JFET)制造方法