01、蓝宝石衬底的拼接曝光方法

　　[专利简介]：本发明提供了一种蓝宝石衬底的拼接曝光方法，包括：在曝光前，根据蓝宝石衬底表面欲制作的图形在一个掩模上制作掩模图形，所述掩模图形包括透光区域和不透光区域，所述不透光区域由规则排布于所述透光区域上的若干单位图形组成；在曝光时，通过该掩模对所述蓝宝石衬底表面的所有曝光区域进行曝光，且相邻两个曝光区域的曝光图案实现拼接；所述掩模图形的边界处向外侧设有透光的冗余部，以增强相邻两个曝光区域拼接处的曝光能量。本发明通过冗余部的设计，使得拼接位置对应的能量能够达到阈值能量，实现残胶消除。同时，由于拼接位置对应的曝光能量与其他位置对应的曝光能量相一致，故而就不会产生关键尺寸（CD）的变化。

　　002、掩模板及其gai善拼接曝光姆拉现象的方法

　　003、一种多DMD拼接的曝光系统及方法

　　004、彩色滤光片中拼接曝光方法

　　005、一种多次曝光拼接制作大面积全息光栅的方法

　　006、一种多曝光视场拼接系统和方法

　　007、一种检测彩膜基板拼接曝光误差的方法以及掩膜板

　　008、用于光刻设备的双汞灯拼接曝光系统

　　009、光刻大尺寸CCD芯片拼接曝光方法

　　010、一种投影曝光装置与拼接方法

　　011、直写式光刻机在步进式曝光时的二维拼接处理方法

　　012、采用曝光场拼接技术制作超大功率智能器件的方法