金属材料的氮化硅膜覆膜专利技术大全
1、用于溅镀张力氮化硅膜的系统和方法
2、氮化硅膜的沉积方法
3、一种用于氮化硅沉积的磁控溅射镀膜设备及镀膜方法
4、一种磁控溅射制备氮化硅膜的方法
5、氮化硅膜制备装置
6、一种晶体硅太阳能电池氮化硅减反射膜及其制备方法
7、一种多层氮化硅膜的制备方法
8、用于半导体器件应用的氮化硅膜
9、一种氮化硅薄膜制备方法
10、一种氮化硅膜材料及其制备方法
11、一种超薄氮化硅膜材料及其制备方法
12、氮化硅薄膜的制备方法
13、双层氮化硅减反射膜及其制备方法
14、一种使用OTB设备沉积氮化硅梯度渐变膜的方法
15、一种管式PECVD双层氮化硅膜的制备工艺
16、一种氮化介质层低辐射薄膜及其制备工艺
17、氮化硅薄膜的制备方法
18、一种高压应力氮化硅薄膜的制备方法
19、一种陷光结构氮化硅薄膜的制备方法及制备装置
20、非晶质氮化硅膜及其制造方法
21、一种用于太阳能电池的双层氮化硅减反射膜及其制备方法
22、一种晶体硅太阳能电池三层氮化硅减反射膜及其制备方法
23、一种改良的晶硅太阳能电池氮化硅减反膜制备方法
24、氮化硅膜沉积设备和沉积方法
25、氮化硅膜制备装置
26、氮化硅膜的形成方法
27、用等离子激发形成氮化硅膜的方法
28、氮化硅膜的成膜方法和成膜装置
29、氮化硅膜的成膜方法和半导体存储装置的制造方法
30、一种晶体硅太阳电池的渐变减反射氮化硅薄膜的制备工艺
31、增加PECVD氮化硅膜层的压缩应力的方法
32、一种晶体硅太阳能电池多层氮化硅减反射膜及其制备方法
33、一种双层氮化硅减反膜的制作方法
34、镀氮化硅减反射膜的方法
35、双层氮化硅减反射膜制备方法
36、一种含硅纳米粒子的氮化硅薄膜制备方法
37、一种平板PECVD氮化硅覆膜系统
38、一种用于晶体硅太阳电池的双层氮化硅薄膜及其制备方法
39、同时形成晶体硅太阳能电池PN结和氮化硅减反射膜的方法
40、一种氮化硅薄膜的生成装置及方法
41、低-湿-蚀刻速率的氮化硅膜
42、全自动大型平板PECVD氮化硅覆膜制备系统
43、采用13.56MHz射频功率源淀积氮化硅薄膜的方法
44、一种X射线显微透镜成像用氮化硅薄膜窗口的制作方法
45、一种低温高速沉积氢化非晶氮化硅薄膜的方法
46、氮化硅薄膜溅射源装置
47、形成高质量的低温氮化硅膜的方法和设备
48、通过化学汽相淀积使氮化硅膜和/或氧氮化硅膜淀积的方法
49、等离子体CVD方法、氮化硅膜的形成方法、半导体装置的制造方法和等离子体CVD装置
50、等离子体CVD方法、氮化硅膜的形成方法和半导体装置的制造方法
51、用于溅镀张力氮化硅膜的系统和方法
52、氮化硅薄膜及接触刻蚀停止层的形成方法
53、氮化硅/氧化硅双层增透保护薄膜的制备方法
54、掺杂氮化硅薄膜的低温沉积方法及装置
55、用来改变氧化硅和氮化硅膜的介电性能的有机化合物
56、平板氮化硅薄膜PECVD沉积系统
57、一种碳氮化硅薄膜的制备方法
58、活塞环表面涂覆氮化硅膜层的方法
59、通过后PECVD沉积UV处理增加氮化硅膜的拉伸应力的方法
60、增加PECVD氮化硅膜层的压缩应力的方法
61、电子回旋共振等离子体化学汽相淀积氮化硅薄膜的方法
62、在真空中涂覆氮化硅薄膜的方法
63、制备氮化硅膜的方法
64、应力被调节的单层氮化硅膜及其沉积方法
65、氮化硅膜形成方法及装置
66、一种氮化硅膜的生长方法
67、使用原子层沉积法的氮化硅膜的形成方法
68、一种低温化学气相沉积制备氮化硅薄膜的方法
69、氮化硅膜的沉积制造方法及沉积系统
70、形成高质量的低温氮化硅膜的方法和设备
71、借由控制膜层生成前驱物来控制所沉积氮化硅膜的性质及均一性的方法
72、氮化硅薄膜及其制造方法
73、由热化学气相沉积制造氮化硅薄膜和氮氧化硅薄膜的方法
74、用化学蒸气沉积技术沉积氮化硅膜和氧氮化硅膜的方法
75、用电子回旋共振微波等离子体制备超薄氮化硅薄膜
76、低温光化学气相淀积二氧化硅、氮化硅薄膜技术
77、一种用于氮化硅沉积的磁控溅射镀膜设备
78、氮化硅膜制备装置
79、硅片表面氮化硅膜制备装置
80、用于太阳能电池片的氮化硅膜制备装置
81、一种氮化硅膜制备装置
82、氮化硅膜沉积设备
83、氮化硅膜制备装置
84、氮化硅膜成长炉管装置中减少氯化铵堵塞的结构
85、一种平板PECVD氮化硅覆膜的系统
86、一种平板PECVD氮化硅覆膜系统
87、一种全自动大型平板PECVD氮化硅覆膜制备系统
88、平板氮化硅薄膜PECVD沉积系统