601 CN2011100097624 多孔分级结构半导体光催化材料的制备方法602 CN2010106090501 一种半导体纳米复合材料作为可见光催化**剂的应用603 CN2010106019380 一种半导体材料Si_1-X-YC_XN_Y三元**薄膜的制备方法604 CN201010603038X 一种有机半导体材料及其制备方法和应用605 CN2010106032949 一种有机半导体材料及其制备方法和应用606 CN201080069679X 一种有机半导体材料及其制备方法和应用607 CN2010800696802 一种有机半导体材料及其制备方法和应用608 CN2010800696766 有机半导体材料及其制备方法和应用609 CN2010800640879 掺杂半导体材料的系统和方法 610 CN2010800571205 有通过绝缘体被组织成行和列的导体或半导体材料的平行纳米线的塞贝克/珀耳帖热电转换单元和制作过程611 CN2010105923310 以MEMS技术制造的半导体材料的集成三轴磁力计612 CN201080055477X 半导体材料的高通量再结晶613 CN201010575067X 含**[1,2-c:5,6-c]二[1,2,5]噻二唑的有机半导体材料及其应用614 CN2010800546951 外浇铸半导体材料制品的方法615 CN2010105621382 一种有机半导体材料及其制备方法和应用616 CN2010105578946 一种含芴的有机半导体材料及其制备方法和应用617 CN2010105579031 一种有机半导体材料及其制备方法和应用618 CN2010105534878 一种半导体器件的制作方式及使用的材料619 CN2010105495638 一种用于半导体材料热壁外延生长系统的加热装置620 CN2010105477911 含蒽、噻吩、三聚**的有机半导体材料及其制备方法和应用621 CN2010105423610 在半导体管芯之间形成保护材料的半导体器件和方法622 CN2010105427626 实质上具有晶格匹配的半导体材料及其制造方法623 CN2010800612099 具有包括半导体材料的复合剖面的触觉刺激装置624 CN2010105342083 常压开放体系溶剂热合成Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族半导体材料的方法625 CN2010105328921 一种Ni掺杂AlN基稀磁半导体薄膜材料的制备方法626 CN2010800581175 有机半导体材料、有机半导体薄膜以及有机薄膜晶体管627 CN2010105237439 含噻吩吡咯**单元有机半导体材料及其制备方法和应用628 CN2010105237689 金属卟**-吡咯并吡咯有机半导体材料及其制备方法和应用629 CN2010105237829 含金属卟**-三有机半导体材料及其制备方法和应用630 CN2010105237975 金属卟**-噻吩并噻二唑有机半导体材料及其制备方法和应用631 CN2010105235607 含咔唑和噻吩吡咯**单元的有机半导体材料及其制备方法和应用632 CN2010800496577 制造半导体材料制品的方法633 CN201080057315X 用于获取多晶半导体材料，特别是硅的方法和设备634 CN2010800587716 一种用于获得多晶硅半导体材料，特别是硅的设备，以及一种控制其温度的方法635 CN2010105132719 含芴、蒽和苯并**吩单元有机半导体材料及其制备方法和应用636 CN201010513294X 金属卟**-噻吩并吡嗪有机半导体材料及其制备方法和应用637 CN2010105094948 金属卟**-喹喔**有机半导体材料及其制备方法和应用638 CN2010105095226 含噻吩吡咯**单元有机半导体材料及其制备方法和应用639 CN2010105012045 在块体半导体材料上用于形成隔离的鳍部结构的方法640 CN2010105083680 光半导体封装材料641 CN2014105694057 在块体半导体材料上用于形成隔离的鳍部结构的方法642 CN2010102953013 金属卟**-蒽有机半导体材料及其制备方法和应用643 CN201010295316X 含**吩并噻吩和噻吩吡咯**单元有机半导体材料及其制备方法和应用644 CN2010102953206 金属卟**-苯并噻二唑有机半导体材料及其制备方法和应用645 CN2010800530370 封装的基于半导体纳米粒子的材料646 CN2010800530489 包含添加剂的基于封装半导体纳米粒子的材料647 CN2010800414562 有机电子器件和用于掺杂有机半导体基质材料的掺杂剂648 CN2010800681864 硅芴金属卟**-苯有机半导体材料及其制备方法和应用649 CN2010800689461 含芴有机半导体材料，其制备方法和应用650 CN2010102808611 CoPc/TiO₂复合半导体纳米材料的制备及光电流测试方法651 CN2010800689404 苯并**吩有机半导体材料及其制备方法和应用652 CN2010800689476 一类苝四羧酸二酰亚胺有机半导体材料及其制备方法和应用653 CN201010276638X 一种Cu₇Te₄纳米带半导体材料的制备方法654 CN2010800401011 含有离去取代基的**、有机半导体材料、含有该材料的有机半导体膜、含有该膜的有机电子器件、制备膜状产品的方法、π-电子共轭的**和制备该π-电子共轭的**的方法655 CN2010102647963 制备石墨烯/半导体量子点复合材料的方法656 CN2010102624016 一种**半导体材料光致发光测试效果的测试系统657 CN2010102617934 一类噻吩有机半导体材料及其制备方法和应用658 CN2010102580037 一类含芴有机半导体材料及其制备方法和应用659 CN2010102558438 非晶态氧化物半导体材料、场效应晶体管和显示装置660 CN2010800467199 半导体材料内不连续性的探测661 CN201010251267X 半导体材料及超硬材料线切割专用刃料颗粒成型的方法662 CN2010102542177 半导体器件和围绕管芯周边形成坝材料以减小翘曲的方法663 CN2010102479351 基于芴、蒽和喹喔**的有机半导体材料及其制备方法和应用664 CN2010102476194 一种制作复合半导体薄膜材料的方法665 CN2010102477337 一种制作高选择性半导体薄膜材料的方法666 CN2010102477695 一种制作半导体薄膜材料的方法667 CN2010102497896 一种抗半导体材料表面光反射的多层膜技术** CN2010102439176 一类**四羧酸二酰亚胺有机半导体材料及其制备方法和应用669 CN2010102422122 含**四羧酸二酰亚胺单元有机半导体材料及其制备方法和应用670 CN201080033773X 半导体器件用密封玻璃、密封材料、密封材料糊料以及半导体器件及其制造方法671 CN2010800331220 半导体材料光致发光测量中掺杂浓度和少数载流子寿命分离672 CN2010800422319 新型有机半导体材料以及使用其的电子器件673 CN2010800382311 半导体层材料和异质结太阳能电池674 CN20101**68615 一种基于半导体材料表面掺杂的液晶光学整流器件675 CN20101**37636 一种p型半导体纳米材料Cu_xSe/TiO₂纳米管阵列及其制备方法676 CN20101**1448X 一种在绝缘层中嵌入纳米晶的半导体材料制备方法677 CN20101**14418 在绝缘层中嵌入纳米晶的半导体材料制备方法678 CN2010800364559 用于制造半导体薄片的装置和利用分子束通过蒸发来沉积材料的装置679 CN2010102033745 含芴、蒽和噻吩并噻吩单元的有机半导体材料、制备方法及其应用680 CN2010800361457 用于制造半导体材料薄片的分子束外延装置681 CN2010101984245 多晶硅叠层、双栅以及半导体材料叠层刻蚀方法682 CN2010102014890 采用离子注入制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法683 CN2010102015056 采用MOCVD制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法684 CN2010800240005 有机硅**、含有该有机硅**的热**性组成物及光半导体用密封材料685 CN2010101840982 一种醌型芴类半导体材料及其制备方法和应用686 CN2010800659998 一种醌型硅芴类有机半导体材料及其制备方法和应用687 CN201010174386X 一种在硅片上复合In₂O₃触须状纳米结构的半导体材料及其制备方法688 CN2010101736160 一种螺环取代芘的蓝光半导体材料及其非掺杂电致蓝光器件689 CN201080**4725 在包含半导体材料的颗粒的模具上制造半导体材料制品的方法690 CN201080**4640 在包括半导体材料的模具上制造半导体材料制品的方法691 CN201080**1943 纳米结构化金属氧化物或半导体型材料的膜或晶片的方法692 CN201010171949X 一种在硅片上复合In₂O₃棒状纳米结构的半导体材料及其制备方法693 CN2010101719610 一种在硅片上复合In₂O₃花状纳米结构的半导体材料及其制备方法694 CN201080**0086 有机半导体材料、有机半导体薄膜以及有机薄膜晶体管695 CN2010101634059 一种电化学沉积铜锌锡硒半导体薄膜材料的方法696 CN201080044406X 双极性聚合物半导体材料及有机电子器件697 CN2010101521188 一种半导体复合多孔壁二氧化钛空**球材料及其制备方法698 CN2010101513622 一种半导体锗基衬底材料及其制备方法699 CN2010101505645 在硅片上复合In₂O₃箭状纳米结构的半导体材料及其制备方法700 CN2010101505768 在硅片上复合In₂O₃塔状纳米结构的半导体材料及其制备方法701 CN2010101473038 电子束蒸发法制备环境友好半导体材料Mg₂Si薄膜工艺702 CN2010101473042 环境友好半导体材料Mg₂Si薄膜的磁控溅射制备工艺703 CN2010101453354 在硅片上复合In₂O₃分层棒状纳米结构的半导体材料及其制备方法704 CN201010145341X 在硅片上复合In₂O₃多角分层塔状纳米结构的半导体材料及其制备方法705 CN2010101441465 一种无机半导体纳米材料及其制备方法706 CN2010101399059 染料敏化半导体双膜片装置及近红外菁染料敏化半导体材料707 CN2010800182279 用激光能照射半导体材料表面的方法和设备708 CN2010101219681 可调禁带宽度的Cu-Sn-Zn-S半导体材料及其制备方法709 CN201010120774X 半导体芯片切片材料及其制备和应用710 CN2010101181720 一种有机半导体材料及使用该材料的有机薄膜晶体管711 CN201080019356X 通过受控的过度冷却制造半导体材料的非支承的制品的方法712 CN201080014929X 半导体材料薄层的形成713 CN2010800109752 半导体材料制造714 CN2010100229436 氧化铟纳米结构半导体材料及其制备方法715 CN2010100324661 复合纳米半导体Cl₂敏感材料In₂O₃/Nb₂O₅/Pt的制备方法716 CN2009102517064 一种Cu₂ZnSnS₄半导体材料的制备方法717 CN2009102650836 柱撑层载/掺杂半导体型多功能复合材料的制备及使用方法718 CN2009102475432 半导体材料的生长方法以及半导体衬底.................1179 CN008066078 用于半导体封铸的树脂组合物、由所述材料获得的半导体设备以及制造半导体设备的方法1180 CN998096873 生产用于半导体封装的环氧树脂模制材料的工艺方法、其模制材料和获得的半导体器件1181 CN991248279 用于半导体器件的金红石介质材料1182 CN991216571 热电半导体材料或元器件及其制造方法与装置1183 CN998168475 光致发光的半导体材料1184 CN998068381 提供半导体原材料的方法和系统1185 CN998031380 积淀半导体材