等离子体化学气相沉积PECVD镀膜专利技术大全

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　　0002、CN00133099.3-表面等离子体共振响应基片的si化学制备方法-公开号1306099.pdf

　　0003、CN00252860.6-一种m脉m冲微波强化高压低温等离子体化学反应装置-公开号2458622.pdf

　　0004、CN00806888.7-从钽卤化物前体得到的热化学气相沉积钽氮化物膜的等离子体处理方法-公开号1349568.pdf

　　0005、CN01101424.5-电子回旋共振微波等离子体增强金属有机化学汽相沉积外yan系统与技术-公开号1364946.pdf

　　0006、CN01222367.0-一种电感耦合射频等离子体fu助钨丝加热制备薄膜的化学气相沉积装置-公开号2504276.pdf

　　0007、CN01819133.9-通过等离子体增强的化学汽相淀积法沉积的聚合物防反射涂层-公开号1474752.pdf

　　0008、CN02125986.0-等离子体化学气相合成法制备碳氮化钛陶瓷粉体的工艺-公开号1443726.pdf

　　0009、CN02131978.2-高密度等离子体化学汽相淀积设备-公开号1403627.pdf

　　0010、CN02139326.5-等离子体fu助化学气相沉积装置m脉m冲电源的驱动电路-公开号1397663.pdf

　　0011、CN02141383.5-利用等离子体化学气相沉积法沉积薄膜的方法-公开号1467303.pdf

　　0012、CN02153390.3-等离子体化学气相法制备高α相氮化硅粉体的工艺-公开号1445161.pdf

　　0013、CN02153391.1-等离子体化学气相合成法制备碳化硅陶瓷粉体的工艺-公开号1445164.pdf

　　0014、CN02153392.x-等离子体化学气相合成法制备碳化钛陶瓷粉体的工艺-公开号1445163.pdf

　　0015、CN02809775.0-等离子体外部化学气相沉积用多火炬-多靶方法和设备-公开号1599701.pdf

　　0016、CN02818102.6-使用非热放电等离子体的化学处理-公开号1555340.pdf

　　0017、CN02827309.5-用低能量等离子体增强化学气相沉积法形成高迁移率硅锗结构-公开号1615540.pdf

　　0018、CN02828724.x-利用等离子体进行均相和非均相化学反应的方法-公开号1662298.pdf

　　0019、CN03121933.0-液相源雾化微波等离子体化学气相沉积制备薄膜的方法-公开号1458298.pdf

　　0020、CN03151022.1-等离子体增强式化学气相沉积处理方法-公开号1598049.pdf

　　0021、CN200310102841.5-低蒸汽压化合物的等离子体增强化学沉积方法及其设备-公开号1495286.pdf

　　0022、CN200310110912.6-透明导电膜的等离子体增强化学气相沉积设备-公开号1544688.pdf

　　0023、CN200410011048.9-直流辉光等离子体化学气相沉积方法制备碳纳米管的工艺-公开号1598045.pdf

　　0024、CN200410084267.x-一种高密度等离子体化学气相沉淀装置-公开号1779911.pdf

　　0025、CN200410101845.6-直流电弧等离子体化学气相沉积装置及金刚石涂层方法-公开号1632166.pdf

　　0026、CN200410103191.0-制造预制体的等离子体化学气相沉积装置和方法-公开号1640832.pdf

　　0027、CN200420041657.4-制备碳纳米管薄膜的等离子体增强光热化学气相沉积设备-公开号2723423.pdf

　　0028、CN200420121006.6-强电流直流电弧等离子体化学气相沉积装置-公开号2793101.pdf

　　0029、CN200480012989.2-塑料容器的化学等离子体处理方法及装置-公开号1788105.pdf

　　0030、CN200480015474.8-紫外(uv)和等离子体fu助金属有机化学气相沉积(mocvd)系统-公开号1798618.pdf

　　0031、CN200480016025.5-利用气体化学剂周期调制的等离子体蚀刻的方法和设备-公开号1802730.pdf

　　0032、CN200480027564.9-使用高密度等离子体化学气相沉积填充缝隙的方法和沉积材料的方法-公开号1856870.pdf

　　0033、CN200480037309.2-用等离子体振子fu助化学反应形成材料膜的方法和系统-公开号1894438.pdf

　　0034、CN200510006108.2-等离子体化学气相沉积系统及涂覆衬底两侧的方法-公开号1648283.pdf

　　0035、CN200510030008.3-利用直流辉光等离子体化学气相沉积系统制备氧化锌薄膜的工艺-公开号1752280.pdf

　　0036、CN200510076711.8-等离子体化学气相沉积设备及用它制造半导体器件的方法-公开号1769517.pdf

　　0037、CN200510088450.1-具有较佳沉积再现性的等离子体增强化学气相沉积膜层-公开号1724704.pdf

　　0038、CN200510094984.5-高密度等离子体增强化学气相淀积与刻蚀设备-公开号1952210.pdf

　　0039、CN200580016209.6-通过ｓｅｒｓ增强化学基团检测的具有层化等离子体结构的光学传感器-公开号1957245.pdf

　　0040、CN200580016213.2-金属氧化物的等离子体增强化学气相沉积-公开号1957109.pdf

　　0041、CN200580025742.9-利用气体化学物质和碳氢化合物添加的定期调制的等离子体剥离的方法-公开号1993811.pdf

　　0042、CN200580026251.6-用于等离子体增强化学气相沉积应用的加热气体盒-公开号1993495.pdf

　　0043、CN200580032732.8-由等离子体增强的化学气相沉积的多层涂层-公开号101031669.pdf

　　0044、CN200580034047.9-以等离子体增强化学气相沉积制造具低应力的低ｋ值介电质的低温工艺-公开号101065834.pdf

　　0045、CN200580037209.4-由等离子体增强化学气相沉积的耐磨涂层-公开号101048533.pdf

　　0046、CN200580037210.7-改进的沉积速率等离子体增强化学气相方法-公开号101048532.pdf

　　0047、CN200610007344.0-rf等离子体产生和温度控制系统及其方法、等离子体化学气相沉积系统-公开号1819736.pdf

　　0048、CN200610025630.x-一种防止高密度等离子体化学气相沉积对金属损伤的方法-公开号1831190.pdf

　　0049、CN200610081583.0-内燃机废气电气体发电及等离子体化学反应制氢方法-公开号1884803.pdf

　　0050、CN200610116842.9-等离子体增强化学气相淀积方法-公开号101153385.pdf

　　0051、CN200610116845.2-高密度等离子体化学气相淀积方法-公开号101153386.pdf

　　0052、CN200610129817.4-直流辉光等离子体化学气相沉积zn(o,s)薄膜的系统和工艺-公开号1970833.pdf

　　0053、CN200610134141.8-介质阻挡放电等离子体热丝化学气相沉积的方法与装置-公开号1948551.pdf

　　0054、CN200620023059.3-等离子体化学气相沉积法金刚石涂层的温度测量装置-公开号2932338.pdf

　　0055、CN200680004568.4-先进的低介电常数有机硅等离子体化学汽相沉积膜-公开号101124664.pdf

　　0056、CN200680010740.7-低温制作高应变等离子体增强化学气相沉积氮化硅薄膜的方法-公开号101584025.pdf

　　0057、CN200680027317.8-用于在容器内部进行等离子体增强型化学气相沉积（ｐｅｃｖｄ）内阻挡层的装置，所述装置包括被电磁阀隔离的气路-公开号101248211.pdf

　　0058、CN200680038561.4-用于利用远程等离子体源的大面积等离子体增强化学气相沉积装置的清洗器具-公开号101292059.pdf

　　0059、CN200710010707.0-常温常压下等离子体化学气相沉积制备纳米晶tio2薄膜的方法-公开号101045611.pdf

　　0060、CN200710013325.3-用弧光放电等离子体化学气相沉淀法在金刚石表面制备半导体材料的方法-公开号101012550.pdf

　　0061、CN200710018516.9-微波电子回旋共振等离子体化学气相淀积设备-公开号101144155.pdf

　　0062、CN200710018518.8-电子回旋共振等离子体化学汽相淀积氮化硅薄膜的方法-公开号101104925.pdf

　　0063、CN200710018519.2-等离子体化学汽相淀积氟化非晶碳膜的方法及膜层结构-公开号101109077.pdf

　　0064、CN200710031822.6-直流等离子体化学气相沉积设备-公开号101195909.pdf

　　0065、CN200710047757.6-等离子体法接枝季铵基团的化学纤维及其接枝方法-公开号101148824.pdf

　　0066、CN200710055259.6-电化学原位时间分辨表面等离子体共振测量仪-公开号101013090.pdf

　　0067、CN200710108433.9-动力传送机构及使用其的等离子体fu助化学气相沉积装置-公开号101319313.pdf

　　0068、CN200710165143.8-增加等离子体增强化学气相沉积电介质薄膜压应力的方法-公开号101205607.pdf

　　0069、CN200710199062.x-电介质间隙填充的高密度等离子体化学气相沉积工艺-公开号101358336.pdf

　　0070、CN200710303894.1-平板式等离子体增强化学汽相淀积设备的反应室结构-公开号101469414.pdf

　　0071、CN200710308199.4-用于等离子体增强化学汽相沉积的方法和设备-公开号101220469.pdf

　　0072、CN200720032642.5-等离子体化学气相淀积装置-公开号201121209.pdf

　　0073、CN200720083136.9-锥齿形介质阻挡放电等离子体化学反应器-公开号201002015.pdf

　　0074、CN200810022195.4-光伏组件规模制造用等离子体化学气相沉积真空设备-公开号101319310.pdf

　　0075、CN200810088179.5-含硅膜的等离子体增强周期化学气相沉积-公开号101255548.pdf

　　0076、CN200810089769.x-用于等离子体增强型化学气相沉积工艺的等离子体感应电荷损坏的控制-公开号101285174.pdf

　　0077、CN200810125813.8-执行等离子体化学气相沉积的装置和制造光学预制件的方法-公开号101298664.pdf

　　0078、CN200810131848.2-使用高密度等离子体化学气相沉积来沉积薄膜的方法-公开号101328580.pdf

　　0079、CN200810143932.6-制备非晶硅薄膜的连续式等离子体增强化学气相淀积反应室-公开号101481795.pdf

　　0080、CN200810178790.7-用于等离子体化学气相沉积反应器的喷淋板电极-公开号101463473.pdf

　　0081、CN200810207874.9-一种大面积微波等离子体化学气相沉积装置-公开号101481793.pdf

　　0082、CN200810222116.4-一种等离子体增强式化学气相沉积处理方法-公开号101671817.pdf

　　0083、CN200820011459.1-一种用于等离子体增强化学气相沉积的进气电极板-公开号201158705.pdf

　　0084、CN200820073011.2-一种等离子体化学气相沉积进气装置-公开号201326014.pdf

　　0085、CN200820160180.x-光伏组件规模制造用等离子体化学气相沉积真空设备-公开号201288217.pdf

　　0086、CN200820210906.6-制备非晶硅薄膜的连续式等离子体增强化学气相淀积反应室-公开号201334518.pdf

　　0087、CN200880006171.8-等离子体增强化学气相沉积腔室背板强化-公开号101622375.pdf

　　0088、CN200880009829.0-含硅和碳的阻挡层的卷到卷等离子体增强化学气相沉积方法-公开号101668879.pdf

　　0089、CN200880024356.1-利用等离子体增强化学气相沉积来制造高机械性能的极低k膜的硅前驱物-公开号101743247.pdf

　　0090、CN200880024436.7-用于等离子体增强的化学气相沉积和斜边蚀刻的系统-公开号101743341.pdf

　　0091、CN200880100825.3-大气压等离子体增强化学气相沉积方法-公开号101772588.pdf

　　0092、CN200880112371.1-具有等离子体沉积微孔层的有机化学传感器及其制备和使用方法-公开号101836108.pdf

　　0093、CN200910021406.7-一种等离子体化学反应装置-公开号101530777.pdf

　　0094、CN200910072404.0-大气低温等离子体化学修整金刚石刀具表面缺陷的方法-公开号101596641.pdf

　　0095、CN200910072963.1-ｗｃ、ｓｉｃ光学模压模具的大气等离子体化学加工方法-公开号101659568.pdf

　　0096、CN200910085892.9-加热腔室及等离子体增强化学气相沉积装置-公开号101906620.pdf

　　0097、CN200910181458.0-一种卷对卷等离子体增强化学气相沉积装置-公开号101629283.pdf

　　0098、CN200910198972.5-太阳电池的增强等离子体化学气相沉积工艺-公开号102061455.pdf

　　0099、CN200910199648.5-非等离子体fu助的化学气相沉积方法-公开号102080217.pdf

　　0100、CN200910201880.8-gai善高密度等离子体化学气相淀积的磷硅玻璃形貌的方法-公开号102082091.pdf

　　0101、CN200920008308.5-等离子体fu助化学气相沉积装置-公开号201442988.pdf

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　　0287、CN98101147.0-等离子体增强化学汽相淀积装置和进行所述淀积的方法-公开号1198480.pdf

　　0288、CN98115735.1-全波长表面等离子体激元共振光化学传感装置-公开号1203382.pdf

　　0289、CN98809599.8-低蒸汽压化合物的等离子体增强化学沉积方法-公开号1272142.pdf

　　0290、CN98813827.1-等离子体化学汽相淀积装置和制造光纤、预制棒及套管的方法以及由此制造的光纤-公开号1285008.pdf

　　0291、CN99100406.x-等离子体增强电化学表面陶瓷化方法及其制得产品-公开号1262344.pdf

　　0292、CN99100407.8-等离子体增强电化学表面陶瓷化方法及其制得产品-公开号1262345.pdf

　　0293、CN99107619.2-高密度等离子体化学气相沉积制造介电防反射涂层的方法-公开号1240841.pdf

　　0294、CN99115959.4-工业型m脉m冲直流等离子体化学气相沉积工模具表面强化设备-公开号1263953.pdf